Mosfet参数含义说明 Features:
Vds：DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压
Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻
Id：最大DS电流.会随温度的升高而降低
Vgs：最大GS电压.一般为：-20V~+20V
Idm：最大脉冲DS电流，会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系
Pd：电鱼器的最大耗散功率
Tj：最大工作结温，通常为150度和175度
Tstg：最大存储温度
Iar：雪崩电流
Ear：重复雪崩击穿能量
Eas：单次脉冲雪崩击穿能量
BVdss：DS击穿电压
Idss：饱和DS电流，uA级的电流
Igss：GS驱动电流，nA级的电流
gfs：跨导
Qg：G总充电电量
Qgs：GS充电电量
Qgd：GD充电电量
Td(on)：导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间
Tr：上升时间，输出电压VDS从90%下降到其幅值10% 的时间
Td(off)：关断延迟时间，输入电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间
Tf：下降时间，输出电压VDS从10%上升到其幅值90%的时间
Ciss：输入电容，Ciss=Cgd + Cgs
Coss：输出电容，Coss=Cds +Cgd
Crss：反向传输电容，Crss=Cgc