场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件，是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有 N 沟道和 P 沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又称金属-氧化物-半导体管 MOSFET。MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类，每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。

在生产电鱼器的过程中，可将 MOSFET 和 BJT 比较，就很容易掌握，功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件，BJT 则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路，功率 MOSFET 的驱动电路相对简单。BJT 可能需要多达 20% 的额定集电极电流以保证饱和度，而 MOSFET 需要的驱动电流则小得多，而且通常可以直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。其次，MOSFET 的开关速度比较迅速，MOSFET 是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应。其三，MOSFET 没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外，MOSFET 具有并行工作能力，具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET，允许并行电路配置。而且，MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。